三星8层HBM3E芯片成功通过英伟达测试，预计将成为其未来供应商

近期，第三代高带宽存储器（HBM）的升级版——HBM3E，正成为人工智能（AI）领域高性能计算的关键技术。各大厂商纷纷投入研发，力求在2024年将其推向市场。其中，韩国存储巨头SK海力士已率先宣布成功研发出新一代产品。

据悉，SK海力士推出的12层HBM3E芯片，在技术上实现了新的突破。相较于前代产品，新款芯片在同一封装内集成了更多存储单元，从而显著提升了数据处理能力和运行效率。通过采用更先进的设计和材料，HBM3E有望在2024年成为行业的主流选择。

HBM是一种高性能的DRAM，最早于2013年由SK海力士推出，旨在满足日益增长的数据处理需求，尤其是在高性能计算领域。与传统GPU相比，HBM具有更高的带宽和更低的延迟，能够更有效地支持人工智能应用的运行。随着人工智能技术的快速发展，对高性能计算的需求日益增长，HBM的重要性也日益凸显。

根据市场调研机构TrendForce的预测，HBM3E预计将在未来几年内占据主导地位，并在高性能计算市场中发挥关键作用。SK海力士计划在今年下半年开始量产12层HBM3E。预计到2024年，HBM3E将占据HBM总供应量的60%。此外，三星电子和美光等其他存储器制造商也在积极开发新一代HBM产品，以满足市场需求。

回顾2023年，全球DRAM市场总收入约为225亿美元。TrendForce预测，其中超过10%的收入将来自HBM。随着人工智能技术的不断进步，对高性能存储器的需求将持续增长，这也为HBM市场带来了巨大的发展机遇。

核心要点：

💡 SK海力士的8层HBM3E芯片预计将在2024年实现量产并推向市场。  

🔥 12层HBM3E芯片的推出标志着SK海力士在存储技术领域的领先地位。  

📈 HBM3E将在2023年后成为人工智能领域高性能计算的关键，并推动GPU技术的进一步发展。