2025年全球半导体产业十大关注焦点

随着2024年的整合与复苏，全球半导体行业对2025年的市场前景表达了积极的乐观态度。根据世界半导体贸易统计协会（WSTS）的预测，2024年全球半导体销售额料将同比增长19.0%，达到6269亿美元。预计2025年，销售额将进一步提升至6972亿美元，同比增长11.2%。伴随市场动力的逐步恢复，十大半导体技术趋势也正在酝酿之中。

01 2nm及以下工艺的量产

2025年将见证先进制程代工厂在2nm及以下工艺上的成果交付。台积电的2nm工艺预计将于2025年下半年开始量产，这标志着其从FinFET架构向GAA（全环绕栅极）架构的首次转型，将引入纳米片晶体管技术。三星也计划在2025年实现2nm制程SF2的量产，并将在2025至2027年间陆续推出SF2P、SF2X、SF2Z及SF2A等多种版本，分别针对移动设备、高性能计算及AI领域（其中，SF2Z采用背面供电技术）以及汽车市场。英特尔的Intel 18A（1.8nm）预计于2025年量产，这一制程将采用RibbonFET全环绕栅极晶体管架构和PowerVia背面供电技术，其首个外部客户预计将在2025年上半年完成流片。

02 HBM4最快于下半年出货

HBM（高带宽内存）技术的发展已进入快速迭代阶段。有消息透露，为更好地配合英伟达新品的发布进度，SK海力士的HBM4量产将提前至2025年下半年，采用台积电的3nm制程。与此同时，三星据悉也计划在2025年底完成HBM4的开发，并迅速开展大规模生产，目标客户包括微软和Meta。依据JEDEC（固态技术协会）发布的HBM4初步规范，HBM4将单个堆栈的层数从HBM3的12层增加至16层，支持每堆栈2048位接口，数据传输速率达到6.4GT/s。

03 先进封装产能持续扩张

2024年，先进封装的市场逐渐回暖，推动封测产业走向复苏。2025年，预计先进封装的需求将持续增长，OSAT（封装测试代工厂商）及主要晶圆厂将进一步提升先进封装的产能，并推动技术的迭代升级。台积电正加速扩展CoWoS产能，并计划在2025至2026年期间，将CoWoS的光罩尺寸从2023年的3.3倍提升至5.5倍，基板面积达到超过100×100mm，最多可容纳12个HBM4。长电科技于上海临港建设的车规级芯片制造基地计划于2025年投入使用。同时，通富超威苏州新基地的FCBGA高端先进封测项目，预计于2025年1月实现批量生产。华天科技的江苏盘古半导体板级封测项目也将于2025年第一季度完成设备搬入并实现量产，致力于推动板级扇出封装技术的大规模应用。

04 AI处理器出货势头继续强劲

2025年，多款AI芯片新品将相继发布，涵盖架构、制程及散热等多个方面的迭代升级，以期在算力和能效上达到新的高度。英特尔计划推出基于Intel 18A制程的AI PC处理器Panther Lake及数据中心处理器Clearwater Forest。英伟达预计在2025年推出新一代“Blackwell Ultra”GB300，前期发布的GB200 NVL4超级芯片将在2025年下半年开始供货。AMD计划于2025年推出基于CDNA 4架构的新一代AI加速器，相较于CDNA 3架构的产品，预期在AI推理性能上提升35倍。这些AI处理器的出货将推动相关存储、封装等领域的增长。

05 高阶智能驾驶芯片进入量产窗口期

2025年被众多车规芯片制造商视为高阶智能驾驶技术的关键决赛点，标志着量产时间的到来。地平线的Horizon SuperDrive全场景智能驾驶解决方案预计将在2025年第三季度交付首款量产合作车型，适逢工程进展至“决胜2025年这一量产窗口期”。黑芝麻的武当系列预测于2025年实现上车量产，致力于提供智能驾驶、智能座舱、车身控制及跨域计算功能的融合能力。芯擎科技的“星辰一号”自动驾驶芯片计划于2025年进入批量生产。国际层面，高通在2024年10月发布的Snapdragon Ride至尊版平台将于2025年进行样品交付。此外，基于前代Snapdragon Ride平台，高通已与超过十家中国合作伙伴共同开发智能驾驶及舱驾融合解决方案，并将在2025年继续推进应用。英特尔的首款锐炫车载独立显卡预计也将在2025年量产，以满足汽车座舱日益增长的算力需求。

06 量子处理器规模上量

联合国已宣布2025年为“量子科学与技术之年”。在2024年底，谷歌的Willow及中国科学技术大学的“祖冲之三号”等最新量子处理器接连亮相，均在量子比特数、量子纠错、相干时间及量子计算优越性等方面取得了重要突破。预计在2025年，业界或将迎来更大规模的量子处理器及计算系统。IBM计划于2025年发布集成1386量子比特并具备量子通信链路的多芯片处理器“Kookaburra”，并将通过演示连接三个Kookaburra芯片与一个包含4158量子比特的系统。效率及高能效优势的硅光芯片逐渐受到关注。预计到2025年，硅光芯片的制造工艺将进入成熟阶段。湖南省政府在《加快“世界光谷”建设行动计划》中指出，到2025年将完成12英寸基础硅光流片的工艺开发，并建立国际领先的硅光晶圆代工和生产能力。而《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案（2024-2030年）》则提到，大力支持光芯片相关组件及工艺的研发和优化，包括硅光集成、异质集成、磊晶生长、外延工艺以及制造工艺等。在国际企业中，英伟达在2024年12月的IEDM 2024会议上展示了与台积电合作开发的硅光子原型，台积电计划在2025年实现适合可插拔光模块的1.6T光引擎，并完成小型可插拔产品的COUPE（紧凑型通用光子引擎）验证。根据台积电的介绍，COUPE技术运用SoIC-X芯片堆叠技术，将电子裸片叠加于光子裸片之上，从而在裸片间接口提供更低电阻及更高的能效。

08人工智能与半导体生产的深度融合

人工智能正在加速与半导体设计、制造等全流程的深度融合。2024年3月，新思科技将AI驱动的电子设计自动化（EDA）全套技术栈部署于英伟达的GH200 Grace Hopper超级芯片平台，实现芯片设计、验证、仿真及制造各环节的效能提升，最高可达15倍。2024年7月，Aitomatic发布了首个专为半导体行业定制的开源大模型SemiKong，声称能缩短芯片设计上市时间，提高首次流片的良品率，并加速工程师的学习曲线。到2025年，AI有望在Corner预测、数据拟合及规律学习等方面辅助或替代传统EDA的拟合算法与工作流程。在制造环节，台积电预计将在2nm及以下制程开发中使用英伟达计算光刻平台cuLitho，该平台提供的加速计算及生成式AI，使得晶圆厂能够释放出更多计算资源和工程带宽，以开发更加新颖的解决方案。

09RISC-V架构的高性能产品化进程

进入2024年，RISC-V构架进一步渗透至高性能芯片领域。中国科学院计算技术研究所与北京开源芯片研究院发布了第三代“香山”开源高性能RISC-V处理器核心，其性能水平已跻身全球第一梯队。此外，针对人工智能、数据中心、自动驾驶及移动终端等高性能计算领域，国内如芯来科技、奕斯伟、赛科技、进迭时空等多家企业，纷纷推出了涵盖IP、工具链、软件平台、AI PC芯片、AI MCU、多媒体处理器等产品。此外，它们还推出了适用于笔记本电脑、云计算及行业应用的开发板等解决方案。RISC-V的主要发明人Krste Asanovi预测，2025年RISC-V内核数量将增加至800亿颗，2025年也被视为中国RISC-V产业迈向高性能标杆产品的关键一年，加速打造标志性产品、深化生态建设，并推动RISC-V与人工智能的深度融合将成为产业共识。

10碳化硅产业进入8英寸产能转换阶段

在2024年，碳化硅产业加快了从6英寸向8英寸的过渡。2025年，碳化硅产业将正式步入8英寸产能转换的关键阶段。意法半导体在中国合资建设的安意法半导体碳化硅器件工厂预计将在2025年实现量产。同时，芯联集成的8英寸碳化硅生产线预计在2025年进入规模生产。罗姆的福冈筑后工厂计划于2025年启动量产，而Resonac预计将于2025年开始规模生产8英寸碳化硅衬底。安森美则计划于2025年投产8英寸碳化硅晶圆。